詳解管制清單：荷蘭芯片新規(guī)影響哪些DUV型號？

集微網(wǎng)消息，6月30日荷蘭政府頒布關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備出口管制的最新條例，部分媒體將此理解為針對中國的光刻機管制再次升級至所有DUV，實際上這些新的出口管制條例針對對象為先進的45nm及以下芯片制造技術(shù)，包括最先進的ALD原子沉積設(shè)備、外延生長設(shè)備、等離子體沉積設(shè)備和浸潤式光刻系統(tǒng)，以及用于使用和開發(fā)這類先進設(shè)備的技術(shù)、軟件。

ASML在給集微網(wǎng)的一份聲明中強調(diào)，荷蘭政府新頒布的出口管制條例只涉及部分最新DUV型號，包括 TWINSCAN NXT:2000i 及后續(xù)推出的浸潤式光刻系統(tǒng)。EUV光刻機在此前已經(jīng)受到限制，其他系統(tǒng)的發(fā)運未受荷蘭政府管控。根據(jù)ASML官網(wǎng)信息，DUV浸潤式光刻系統(tǒng)，包含：TWINSCAN NXT:2050i、NXT:2050i、NXT:1980Di 三種光刻機，這些能夠進行38nm~45nm制程的晶圓加工。

此外，能夠進行45nm以上晶圓加工，如65nm~220nm制程的干式DUV光刻機如：TWINSCAN XT:400L、XT:1460K、NXT:870等，均不在荷蘭制裁清單內(nèi)。

根據(jù)集微網(wǎng)翻譯的荷蘭管制清單如下：

荷蘭外貿(mào)和發(fā)展合作部部長頒布的MinBuza.2023.15246-27 號條例規(guī)定，對此前第2021/821 號條例附件一中未提及的半導(dǎo)體先進生產(chǎn)設(shè)備的出口實行許可要求（有關(guān)先進半導(dǎo)體制造設(shè)備）

第二條：本條例規(guī)定，未經(jīng)部長許可，禁止從荷蘭出口先進的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。

第三條：

1、第二條所述的許可申請，應(yīng)由出口商提出并向檢察官提交。

2、在任何情況下，申請均應(yīng)包含：

a出口商名稱和地址；

b先進半導(dǎo)體制造設(shè)備的收貨人和最終用戶名稱和地址；

c先進半導(dǎo)體制造設(shè)備的接受者和最終使用者名稱和地址。

3、在任何情況下，檢察官都有權(quán)要求出口商提供有關(guān)出口的合同，和有關(guān)最終使用用途的聲明。

第四條：

第二條所述的許可證，可以附加條件和規(guī)定。

第二條所述許可的授予，可以存在限定條件。

第五條：

第二條中提到的許可證，可以在以下情況下被撤銷：

a許可證是根據(jù)不正確或不完整信息頒發(fā)的；

b未遵循許可證的規(guī)定、條件和限制；

c出于國家外交和安全政策的考慮。

半導(dǎo)體先進生產(chǎn)設(shè)備管理規(guī)定附錄

用于半導(dǎo)體設(shè)備或材料的生產(chǎn)設(shè)備、軟件和技術(shù)，以及為其專門設(shè)計的零部件和配件。

3B001.l

EUV掩膜

3B001.m

EUV掩膜生產(chǎn)設(shè)備

3B001.f.4

以下光刻設(shè)備：

a 使用普通光源或X射線進行晶圓加工、對準和重復(fù)曝光的設(shè)備，具有以下任何特征：

1.光源的波長小于193nm；

2.光源的波長≥193nm，但是能夠產(chǎn)生最小可分辨尺寸（MRF）小于或等于45nm的圖案；以及套刻精度≤1.50nm。

業(yè)內(nèi)人士解讀指出，荷蘭新規(guī)對DUV設(shè)備（光源波長大于等于193nm）的限制門檻是同時滿足兩個條件：光源波長×K/數(shù)值孔徑<=45nm；套刻精度<=1.5nm。精準地把1980i（套刻精度1.6nm）排除在外，2000i（套刻精度1.4nm）剛好在線內(nèi)。

3B001.d.12

用于金屬原子層沉積（ALD）的設(shè)備：

a具備以下所有條件：

1.一種以上的金屬源，其中一種是以鋁（Al）為前體設(shè)計的；

2.具有溫度高于45℃的進料容器。

b設(shè)計用于沉積具有以下所有特征的金屬材料：

1.沉積碳化鈦鋁（Ti Al C）；

2.可以使晶體管勢壘高于4.0ev的金屬材料。

3B001.a.4

用于硅（Si）、碳摻雜硅、硅鍺（SiGe）或碳摻雜硅鍺（SiGe）這幾種材料外延生長的設(shè)備：

a具有以下所有條件：

1.在多個腔室和工藝步驟之間保持高真空度（水和氧分壓≤0.01Pa），或形成惰性氣氛（水和氧分壓≤0.01Pa）的裝置；

2.至少有一個用于清潔晶圓表面的預(yù)處理室，等等；

3.外延沉積工作溫度≤685℃。

3B001.d.19

設(shè)計用于介電常數(shù)低于3.3的金屬線之間，在寬度小于25nm、長寬比≥1:1的空隙中，進行無空隙等離子體放大沉積的設(shè)備。

3D007

專門用于開發(fā)、生產(chǎn)或操作本法規(guī)3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4、3B001.d.19項規(guī)定的設(shè)備而研發(fā)的軟件。

3E005

開發(fā)、生產(chǎn)或使用本法規(guī)3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4、3B001.d.19項規(guī)定的設(shè)備所需的技術(shù)。

“新頒布的管制條例今年9月1日生效，現(xiàn)在ASML可以開始提交出口許可申請；9月1日之后，管制條例涉及的設(shè)備型號出口需向荷蘭政府提交出口許可申請，由荷蘭政府決定是否批準授予許可證。”ASML方面告訴集微網(wǎng)。

這意味著9月1日之前發(fā)貨的DUV光刻機或不受影響。

為此，新的出口管制對ASML造成的影響，ASML回應(yīng)與幾個月前的回應(yīng)一致，即“不會對已發(fā)布的2023年財務(wù)展望以及于2022年11月投資者日宣布的長期展望產(chǎn)生重大影響?！?/p>

針對荷蘭將部分光刻機等半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品納入出口管制的決定。中國商務(wù)部新聞發(fā)言人表示，中方注意到相關(guān)報道。近幾個月以來，中荷雙方就半導(dǎo)體出口管制問題開展了多層級、多頻次的溝通磋商。但荷方最終仍將相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備列管，中方對此表示不滿。近年來，美國為維護自身全球霸權(quán)，不斷泛化國家安全概念，濫用出口管制措施，甚至不惜犧牲盟友利益，脅迫拉攏其他國家對中國實施半導(dǎo)體打壓圍堵，人為推動產(chǎn)業(yè)脫鉤斷鏈，嚴重損害全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，中方對此堅決反對。

商務(wù)部新聞發(fā)言人強調(diào)，荷方應(yīng)從維護國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則及中荷經(jīng)貿(mào)合作大局出發(fā)，尊重市場原則和契約精神，避免有關(guān)措施阻礙兩國半導(dǎo)體行業(yè)正常合作和發(fā)展，不濫用出口管制措施，切實維護中荷企業(yè)和雙方共同利益，維護全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定。

中國駐荷蘭使館發(fā)言人發(fā)表評論表示：

我們注意到，荷蘭政府正式出臺半導(dǎo)體制造設(shè)備的出口管制措施，這是對出口管制措施的濫用，是對自由貿(mào)易和國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則的嚴重背離，中方對此堅決反對。

當前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已形成你中有我、我中有你的產(chǎn)業(yè)格局。中國是世界最大的半導(dǎo)體市場，也是全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的重要組成部分。荷方以所謂“國家安全”為由人為設(shè)限毫無道理，完全站不住腳。在科技領(lǐng)域人為制造壁壘，在法律上、道義上沒有依據(jù)。這種行為不僅損害中國企業(yè)的正當合法權(quán)益，也會讓荷蘭企業(yè)蒙受損失，損害全球產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，還將破壞荷支持自由貿(mào)易的良好信譽。

眾所周知，一段時間以來，個別大國一再泛化“國家安全”概念，濫用出口管制措施，對中國企業(yè)進行惡意封鎖和打壓，脅迫盟友參與對華經(jīng)濟遏制。我們呼吁荷方從維護國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則及中荷經(jīng)貿(mào)合作大局出發(fā)，立即糾正錯誤做法。中方將堅決維護自身合法權(quán)益。同時，也愿與荷方一道，本著互利互惠的原則，共同探討解決方案，共同推動中荷經(jīng)貿(mào)關(guān)系健康發(fā)展。