參考消息網(wǎng)11月28日報道據(jù)美國《防務新聞》周刊網(wǎng)站11月23日報道，美國國防部高級研究計劃局表示，計劃在明年夏天發(fā)出一份建設合同，在美國建立一個先進微電子制造中心。

報道稱，這個被稱為“下一代微電子制造”的項目將為相關研究和設備提供資金，建立一個國內(nèi)尖端制造技術原型中心。國防部高級研究計劃局希望借此讓美國半導體工業(yè)基礎處于領先地位。目標是到2029年確立這種能力。

該中心將重點研究三維異質(zhì)異構(gòu)集成微系統(tǒng)（3DHI），這是一種先進的微電子制造方法。3DHI研究的前提是，通過集成和封裝不同類芯片器件，制造商可以分解存儲和處理等功能，從而顯著提高性能。

該技術領域不僅可以革新美國的工業(yè)基礎，而且其他國家和地區(qū)都有濃厚的興趣加入。

國防部高級研究計劃局在11月20日的項目公告中表示：“目前，美國沒有具備全面3DHI研發(fā)能力的開放制造中心。預計微電子領域的下一波創(chuàng)新浪潮將來自通過先進封裝集成異質(zhì)材料、器件和電路的能力，而國防部高級研究計劃局建議建立一個專門針對下一代3DHI的國家級研發(fā)中心?！?/p>

今年7月，國防部高級研究計劃局選擇了11個團隊開始進行項目的基礎工作。該機構(gòu)近日表示，計劃為項目的下兩個階段選擇一個團隊，每個階段的合同金額最高達4.2億美元。

根據(jù)合同，被選中的團隊也將為項目提供部分資金。國防部高級研究計劃局計劃在11月28日向業(yè)界簡要通報該項目。

中國大陸和臺灣生產(chǎn)的先進半導體在全球市場占據(jù)主導地位。這些關鍵的微系統(tǒng)用于汽車、手機和國防部的主要武器。近年來，人們越來越擔心這些系統(tǒng)過度依賴外國供應鏈。

國防部高級研究計劃局通過“下一代微電子制造”等項目專注于前瞻性技術，這與美國政府覆蓋面更廣泛的芯片法案不同，后者旨在加強國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)基礎。國會于2022年通過《美國芯片法案》，相關措施將持續(xù)到2026年，為加強半導體行業(yè)人才培養(yǎng)、研發(fā)和制造提供資金。法案還規(guī)定，投資美國國內(nèi)制造設施和設備將享受25%的稅收抵免。

報道稱， 芯片法案的重點是在短期內(nèi)支持美國的供應基礎，而國防部高級研究計劃局在這一領域的努力是面向“下一波創(chuàng)新”。

“下一代微電子制造”項目是這些努力的核心，隸屬于該機構(gòu)的電子復興計劃2.0，該計劃旨在解決影響美國國家安全和商業(yè)工業(yè)的技術挑戰(zhàn)。

“下一代微電子制造”項目的第一階段將專注于購買設備，創(chuàng)建基礎制造流程，開發(fā)針對3DHI系統(tǒng)的自動化和仿真軟件。第二階段的重點是創(chuàng)建硬件原型、自動化流程和開發(fā)仿真功能。

國防部高級研究計劃局表示：“該項目的最終目標是，在一個并非由聯(lián)邦政府擁有和運營的實體的現(xiàn)有設施上建立一個自給自足的3DHI制造中心，并向?qū)W術界、政府和行業(yè)用戶開放?！?/p>

“衡量項目成功與否的標準是，它能否以合理的成本和周期支持各種高性能3DHI微系統(tǒng)的設計、制造、組裝和測試，從而支持快節(jié)奏的創(chuàng)新研究。”該機構(gòu)補充道。（編譯/郭駿）