消息稱(chēng)英偉達(dá)RTX 50顯卡采用臺(tái)積電3nm工藝

IT之家 11 月 18 日消息，據(jù)可靠爆料人 kopite7kimi 消息，英偉達(dá) RTX 50 系列顯卡所采用的 GB200 系列 GPU 將采用臺(tái)積電 3nm 工藝。

據(jù) IT之家此前報(bào)道，英偉達(dá)當(dāng)前的 RTX 40 顯卡采用“TSMC 4N”工藝，沒(méi)有說(shuō)明具體是幾 nm 工藝，有報(bào)道稱(chēng)是定制的 5nm 工藝。英偉達(dá)官方表示，在 TSMC 4N 定制工藝技術(shù)加持下，RTX 40 系列 GPU 實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 2 倍的性能功耗比飛躍。

除了新工藝外，消息稱(chēng) RTX 50 系列顯卡將采用 GDDR7 顯存，最高支持 384bit 位寬，接口包括 HDMI 和 DP 2.1，支持通過(guò) PCIe 5.0 連接，供電采用改進(jìn)版 12V-2x6 16pin 接口，發(fā)布時(shí)間可能是 2024 年底或 2025 年。